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結(jié)構(gòu)特點(diǎn):1在容易磨損的關(guān)鍵部位,鑲嵌適用的高耐磨陶瓷材料。
洗砂場(chǎng)分體式污泥壓濾設(shè)備提供剛剛發(fā)布,2%-20,4%之間,達(dá)到了良好的污泥處理效果,要求工廠運(yùn)用絮凝劑:聚酰胺陽(yáng)離子或陰離子,分子量1000~1500萬(wàn),應(yīng)留意絮凝劑與水的稀釋份額,翻開(kāi)空氣源開(kāi)關(guān)或翻開(kāi)空氣壓縮機(jī),將空氣輸送到主機(jī)空氣操控箱,將總氣壓調(diào)整為4公斤,疊螺機(jī)開(kāi)端污泥脫水處理,發(fā)動(dòng)化學(xué)泵,泵流量,并將稀釋后的絮凝劑提取到混合器中。
通過(guò)使用CO2吸附法進(jìn)行微孔分析,使用N2吸附法進(jìn)行介孔分析來(lái)表征這些不同尺寸范圍內(nèi)的孔隙是一種有效的方法。傳統(tǒng)的低壓N2微孔分析非常耗時(shí),而使用CO2(273K)吸附進(jìn)行微孔測(cè)量由于較高的實(shí)驗(yàn)溫度和CO2較小的動(dòng)力學(xué)直徑使得測(cè)試速度更快。此外,CO2吸附的測(cè)量不需要低壓傳感器和渦輪分子泵,這意味著它們可以很容易地在的Nova系列儀器上進(jìn)行。
配件:氣體閥門、空氣壓縮機(jī)、氣體壓縮機(jī)、壓縮機(jī)、隔膜式壓縮機(jī)、膨脹機(jī)(活塞、透平)、真空泵、低溫液體泵及其汽化設(shè)備、保溫、吸附材料、氣體灌裝設(shè)備、焊接設(shè)備、催化劑、分子篩干燥設(shè)備、氣體凈化設(shè)備及技術(shù);流通技術(shù)、低溫技術(shù)、儲(chǔ)氫氣瓶、氫氣減壓器、減壓閥、壓力開(kāi)關(guān)、循環(huán)泵、分析儀、傳感器、流量計(jì)、儀器儀表、氫傳感器等。余氫供應(yīng)企業(yè)、氫/儲(chǔ)存技術(shù)與設(shè)備、氫氣的輔助設(shè)備及材料,應(yīng)用儀器儀表及分析儀器、色譜儀、氣體檢測(cè)等。
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在高真空抽氣過(guò)程的起始階段,泵的很大的未經(jīng)烘烤的內(nèi)表面會(huì)吸附水,然后再在較低的壓力下重新釋放出來(lái)。這種效應(yīng)在無(wú)閥門的系統(tǒng)中更為明顯,因?yàn)樗赡鼙任幢┞对趬毫Ω哂?50Pa的空氣環(huán)境的有閥門的系統(tǒng)吸附更多的水蒸氣。系統(tǒng)停機(jī)時(shí),先關(guān)閉高真空閥,如果有液氮冷阱的話,還要將冷阱加熱。在冷阱達(dá)到平衡溫度后,關(guān)掉前級(jí)管道閥,再切斷渦輪分子泵電動(dòng)機(jī)的電源,使分子泵的轉(zhuǎn)子減速。
一般來(lái)說(shuō),泵轉(zhuǎn)子完全停止需要十分鐘或更長(zhǎng)的時(shí)間。在分子泵轉(zhuǎn)子減速期間,來(lái)自前級(jí)管道的碳?xì)浠衔锖蜏u輪分子泵的潤(rùn)滑油蒸氣會(huì)迅速地向泵的進(jìn)氣口上方區(qū)域擴(kuò)散。為了防止機(jī)械泵油蒸氣和渦輪分子泵潤(rùn)滑油蒸氣的返流,在切斷渦輪分子泵電動(dòng)機(jī)的電源后,要用一股干燥的反向氣流對(duì)分子泵進(jìn)行放氣。
例如,應(yīng)該在泵轉(zhuǎn)子速度下降到很大轉(zhuǎn)速的50%左右時(shí),在泵進(jìn)氣口上方的某處或在轉(zhuǎn)子組件上部連續(xù)充入氣或氮?dú)?,直到泵?nèi)壓力達(dá)到大氣壓。通過(guò)從閥門3(見(jiàn)圖1)充入氣體就可適當(dāng)?shù)赝瓿蛇@一操作。當(dāng)渦輪分子泵以額定速度運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí),不應(yīng)經(jīng)常充入壓力為大氣壓的氣流。這樣做對(duì)軸的壽命是不利的。當(dāng)前級(jí)管道閥關(guān)閉后,即可關(guān)掉機(jī)械泵系統(tǒng),并用放氣閥對(duì)機(jī)械泵內(nèi)進(jìn)行放氣。停機(jī)后應(yīng)立即關(guān)掉冷卻水以防止內(nèi)部冷凝。在正常工作時(shí),可把水溫調(diào)節(jié)到略高于來(lái)消除泵體外部可能形成的冷凝物。
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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積(CVD)、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來(lái)說(shuō),其中還要夾雜低溫(≤500℃)退火工藝等熱處理工藝,用以增進(jìn)金屬層和半導(dǎo)體之間的低電阻接觸、消除內(nèi)應(yīng)力等。設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中需要高潔凈的真空環(huán)境,一般采用以磁懸浮分子泵為主的無(wú)油真空系統(tǒng)。
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程??涛g的基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形?,F(xiàn)代化的干法刻蝕設(shè)備包括復(fù)雜的機(jī)械、電氣和真空系統(tǒng),同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)和控制裝置。刻蝕應(yīng)用工況復(fù)雜,清潔性差,充入特種氣體種類繁多,因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設(shè)備:離子注入是指在真空環(huán)境下,當(dāng)離子束射向固體材料時(shí),受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái),并很終停留在固體材料中的現(xiàn)象。離子注入是半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入機(jī)是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設(shè)備,需要高清潔的真空環(huán)境,以保證離子摻雜濃度和劑量的準(zhǔn)確性。
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